[发明专利]等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法有效
| 申请号： | 201110287142.7 | 申请日： | 2011-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN102403183A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 野泽俊久;佐佐木胜;桥本润;吉村正太;小津俊久;西塚哲也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供能够更精确地蚀刻成所希望的形状的等离子体蚀刻处理装置及其方法和半导体元件制造方法。等离子体蚀刻处理装置11包括：在内部对被处理基板进行蚀等离子体处理的处理容器12；向处理容器12内供给等离子体处理用的气体的气体供给部13；配置在处理容器12内，在其上支承被处理基板W的支承台14；产生等离子体激励用的微波的微波发生器15；使用由微波发生器15产生的微波，在处理容器12内产生等离子体的等离子体发生单元；调整处理容器12内的压力的压力调整单元；向支承台14供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；以交替反复地进行停止和供给的方式控制偏置电力供给单元的交流偏置电力的控制单元。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 处理 装置 及其 方法 半导体 元件 制造 | ||
【主权项】：
一种等离子体蚀刻处理装置，通过所产生的等离子体对被处理基板进行蚀刻处理，所述等离子体蚀刻处理装置的特征在于，包括：在内部对被处理基板进行等离子体处理的处理容器；向所述处理容器内供给等离子体处理用的气体的气体供给部；支承台，所述支承台配置在所述处理容器内，在该支承台上支承所述被处理基板；产生等离子体激励用的微波的微波发生器；等离子体发生单元，其使用由所述微波发生器产生的微波，在所述处理容器内产生等离子体；调整所述处理容器内的压力的压力调整单元；对所述支承台供给交流偏置电力的偏置电力供给单元；和控制单元，以交替反复地进行停止和供给的方式控制所述偏置电力供给单元的交流偏置电力。
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