[发明专利]真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置

摘要

本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。

主权项

一种真空处理装置，其特征在于，具备：第1真空室，其在内部配置有用于保持硅基材的第1保持部；喷嘴部，其用于通过将压力比该第1真空室内的压力高的处理气体向该第1真空室内喷出，而使该处理气体绝热膨胀来形成作为处理气体的原子或者分子的集合体的气体团簇，为了使所述第1保持部所保持的硅基材多孔质化，对该硅基材喷射所述气体团簇；第2真空室，其经由隔离阀与所述第1真空室连接，该第2真空室的内部配置有用于保持硅基材的第2保持部；成膜处理部，其用于在该第2真空室内对多孔质化后的硅基材在真空气氛下进行成膜处理；和真空搬送区域，其具备搬送机构，该搬送机构在不破坏真空气氛的情况下将在所述第1真空室内多孔质化后的硅基材从所述第1真空室搬送到所述第2真空室，所述气体团簇未被离子化。