[发明专利]一种碳化硅薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及碳化硅薄膜制备技术领域，具体涉及一种用原子层沉积设备制备碳化硅薄膜的方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质，含碳物质与硅衬底表面发生碳化学吸附，使得含碳物质中的碳原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含硅物质，含硅物质与硅衬底表面发生卤代反应，含硅物质中的硅原子与硅衬底表面的碳原子形成碳硅键，待反应完全后，硅衬底表面即生成碳化硅薄膜结构。本发明使用原子层沉积设备，利用衬底的晶格结构对生长的影响，使得长出的碳化硅薄膜结构具有完整的晶格，同时也使得在硅基上生长的薄膜的结构性能得到提高。

主权项

一种碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含碳物质，所述含碳物质与所述硅衬底表面发生碳化学吸附，使得所述含碳物质中的碳原子吸附在所述硅衬底表面；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含硅物质，所述含硅物质与所述硅衬底表面发生卤代反应，所述含硅物质中的硅原子与所述硅衬底表面的碳原子形成碳硅键，待反应完全后，所述硅衬底表面即生成碳化硅薄膜结构。