[发明专利]一种氮化铝薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种用原子层沉积设备制备氮化铝薄膜的方法。所述制备方法，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向原子层沉积设备反应腔中通入含铝物质，含碳物质与硅衬底表面发生化学反应，使得含铝物质中的铝原子吸附在硅衬底表面；向原子层沉积设备反应腔中通入含氮物质，含氮物质与硅衬底表面发生卤代反应，含氮物质中的氮氮原子与硅衬底表面的铝原子形成铝氮键，待反应完全后，硅衬底表面即生成氮化铝薄膜结构。本发明利用ALD设备和常见的前躯体，在常温低压下就能制备出氮化铝薄膜，并且可有效的降低能耗，提高氮化铝薄膜的均一性和降低薄膜粗糙度，而且在制作过程中还能有效的降低Al水解带来的不利影响。

主权项

一种氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含铝物质，所述含碳物质与所述硅衬底表面发生化学反应，使得所述含铝物质中的铝原子吸附在所述硅衬底表面；向所述原子层沉积设备反应腔中通入含氮物质，所述含氮物质与所述硅衬底表面发生卤代反应，所述含硅质中的氮原子与所述硅衬底表面的铝原子形成铝硅键，待反应完全后，所述硅衬底表面即生成氮化铝薄膜结构。