[发明专利]等离子体刻蚀工艺的终点监控方法有效
| 申请号： | 201110287515.0 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102332383A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 李俊良;王兆祥;黄智林;王洪军 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种等离子体刻蚀工艺的终点监控方法，所述刻蚀工艺在刻蚀腔内进行，包括：获取实时刻蚀信号，所述刻蚀信号对应于刻蚀腔内的某种或某几种波长的光信号强度；在所述刻蚀信号中搜索峰值，所述搜索峰值包括搜索一个上升沿和搜索一个下降沿，所述峰值对应于刻蚀工艺的终点。本发明所提供的等离子体刻蚀工艺的终点监控方法易于实现，并且可以提高监控的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 工艺 终点 监控 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体刻蚀工艺的终点监控方法，所述刻蚀工艺在刻蚀腔内进行，其特征在于，包括：获取实时刻蚀信号，所述刻蚀信号对应于刻蚀腔内的光信号的强度；在所述刻蚀信号中搜索峰值，所述搜索峰值包括搜索一个上升沿和搜索一个下降沿，所述峰值对应于刻蚀工艺的终点。
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