[发明专利]一种AC LED芯片的制备方法

摘要

本发明提供一种ACLED芯片的制备方法，通过先在相邻微晶的负极和正极之间沉积微晶连线，同时在芯片正负电极上实现预沉积，即在芯片正负电极上也预先沉积与微晶连线相同的材料；然后在预沉积的芯片正负电极处利用化学还原镀金的方法沉积金，因为化学还原镀金只有在金的表面才能够沉积，由此可以实现打线所需要的正负电极厚度，即把预沉积的微晶连线厚度增加到打线所需要的厚度1.5-2微米。因此，在有效形成数十纳米厚的微晶电极和1.5-2微米厚的芯片正负电极的同时，既没有电镀的整面导电问题，又没有电子束蒸发镀金的浪费问题，可以很好的避免Au的浪费，有效地降低了ACLED芯片的生产成本。

主权项

一种AC LED芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S11、在衬底上生长出具有缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层的外延片；S12、在外延片上刻蚀出多个间隔排列的台阶，每个台阶的刻蚀深度至n型氮化物层；S13、在每个台阶上刻蚀出沟槽，沟槽的刻蚀深度至衬底且刻蚀宽度小于台阶的刻蚀宽度，由此在外延片上形成多个间隔排列的微晶；S14、在相邻微晶的负极和正极之间形成钝化层；S15、在芯片和微晶的正极上形成电流扩散层；S16、在相邻微晶的负极和正极之间沉积微晶连线，同时在芯片正负电极上实现预沉积；S17、在芯片上除正负电极之外的区域形成第一保护层；S18、在预沉积的芯片正负电极处利用化学还原镀金方法沉积金。