[发明专利]氧化钴—类金刚石双层结构锂空电池正极材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110288087.3 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102332568A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杨银;李越生;傅正文 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/139 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于电化学技术领域，具体为一种氧化钴—类金刚石双层结构锂空电池正极材料及其制备方法。该正极材料为氧化钴—类金刚石双层薄膜材料，氧化钴薄膜厚度为80~120nm，通过脉冲激光沉积技术制备获得；类金刚石薄膜厚度为0.5~1um，通过电子束热蒸发法制备获得。由该双层结构薄膜制成的电极，氧化钴层对于发生在类金刚石薄膜层的氧还原过程及放电产物分解过程具有良好的催化效果，明显降低了充放电过电压，提高了电极循环性能，首次放电容量为824mAh/g，经过22次循环后放电容量升至2440mAh/g。该氧化钴—类金刚石双层结构电极材料化学稳定性好、比容量高、循环性能优异、制备方法简单，适用于锂空电池。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钴 金刚石 双层 结构 电池 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化钴—类金刚石双层结构锂空电池正极材料，其特征在于由催化剂材料氧化钴以薄膜形式沉积于类金刚石薄膜之上而构成，为双层结构。
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