[发明专利]垂直式发光二极管结构及其制备方法无效
| 申请号： | 201110288580.5 | 申请日： | 2011-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN102956663A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 宋健民;黄侯魁;甘明吉 | 申请（专利权）人： | 铼钻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;H01L33/44;H01L33/64 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 梁爱荣 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是有关于一种垂直式发光二极管结构及其制备方法。本发明的垂直式发光二极管结构包括：多个发光二体极，其中，该每一发光二极管是包括一第一电极、一半导体磊晶层、及一第二电极，且该每一发光二极管的第二电极与相邻的发光二极管的第一电极是以串联或并联方式相互连接。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 发光二极管 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直式发光二极管结构，包括多个发光二极管，其特征在于，该每一发光二极管包括一第一电极、一半导体磊晶层及一第二电极，且该每一发光二极管的第二电极与相邻的发光二极管的第一电极是以串联或并联方式相互连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
