[发明专利]一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法无效
| 申请号： | 201110288669.1 | 申请日： | 2011-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN102337541A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 陈骁;罗乐;徐高卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C23F1/02 | 分类号： | C23F1/02;C23F1/12;H01L21/308;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制作锥形穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)所使用的刻蚀方法，其特征在于首先在硅片正面沉积一层SiO2，然后光刻去除图形中的SiO2，露出下面的硅。放入STS刻蚀机中，对硅片正面进行第一步刻蚀，第一步刻蚀的过程中刻蚀阶段和钝化阶段交替进行，从而获得出深度为50-200μm的垂直深孔。然后对硅片正面进行第二步刻蚀，刻蚀出具有倒梯形的锥形形貌的深孔。所采用的刻蚀方法可操作性强，适合于工业化生产，不仅可望降低制作晶圆TSV的工艺成本，而且提高了TSV的电镀填充的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 锥形 穿硅通孔时 采用 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法，其特征在于首先在硅片正面沉积一层SiO2，然后光刻去除图形中的SiO2，露出下面的硅。放入STS刻蚀机中，对硅片正面进行第一步刻蚀，第一步刻蚀的过程中刻蚀阶段和钝化阶段交替进行，从而获得出深度为50‑200μm的垂直深孔；然后对硅片正面进行第二步刻蚀，刻蚀出具有倒梯形的锥形形貌的深孔。
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