[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的制作方法，在清洗制绒后的p型晶体硅片或n型晶体硅片的一个表面沉积含磷的氮化硅薄膜，另一个表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，然后将该沉积薄膜的晶体硅片进行高温退火处理，使薄膜中的磷元素与硼元素扩散进入晶体硅片内部，从而使p型晶体硅片形成N+PP+结构，n型晶体硅片形成P+NN+结构，接着制作金属电极，完成电池制作。与现有的制作方法相比，本发明将高温扩散掺杂形成PN结的工艺与减反射膜的制备工艺合二为一、避免了边缘结刻蚀工艺，并且减少了磷源与硼源的使用量，因此极大地简化了工艺流程，降低了制作成本，在太阳能电池制作技术领域具有广阔的应用前景。

主权项

一种晶体硅太阳能电池的制作方法，首先，对p型晶体硅片或n型晶体硅片进行清洗制绒处理；然后，利用薄膜沉积技术，在p型晶体硅片的前表面沉积含磷的氮化硅薄膜，背表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，或者在n型晶体硅片的前表面沉积氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，背表面沉积含磷的氮化硅薄膜；接着，将该沉积薄膜的p型晶体硅片或n型晶体硅片进行高温退火处理，使氮化硅薄膜中的磷元素，以及氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜中的硼元素扩散进入晶体硅片内部，从而使p型晶体硅片形成N+PP+结构，n型晶体硅片形成P+NN+结构；最后，制备金属电极完成电池制作。