[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201110289350.0 | 申请日: | 2011-08-31 |
公开(公告)号: | CN102386267A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 富田孝司 | 申请(专利权)人: | 富田孝司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/074;H01L31/0725;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种太阳能电池及其制造方法,通过增大开放电压,得到转换效率高的太阳能电池。在异质结型太阳能电池中,将半导体A和传导体与该半导体A不同且具有比半导体A的电子亲和力a1大的电子亲和力a2的半导体B结合,同时对所述半导体A和所述半导体B各在1%以内进行晶格匹配。在异质结型太阳能电池的制造方法中,该太阳能电池将半导体A和传导体与该半导体A不同且具有比半导体A的电子亲和力a1大的电子亲和力a2的半导体B结合,同时对所述半导体A和所述半导体B各在1%以内进行晶格匹配;该方法的特征在于,所述半导体A是p型硅,并在其表面上形成p型锗层,通过去除该锗层而去除氧化膜之后,形成n型GaP。得到的太阳能电池的开放电压是2V。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种异质结型太阳能电池,其特征在于,将半导体A和传导体与该半导体A不同且具有比半导体A的电子亲和力a1大的电子亲和力a2的半导体B结合,同时对所述半导体A和所述半导体B各在1%以内进行晶格匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的