[发明专利]太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110289350.0 申请日: 2011-08-31
公开(公告)号: CN102386267A 公开(公告)日: 2012-03-21
发明(设计)人: 富田孝司 申请(专利权)人: 富田孝司
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/074;H01L31/0725;H01L31/0336;H01L31/0352;H01L31/18
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种太阳能电池及其制造方法,通过增大开放电压,得到转换效率高的太阳能电池。在异质结型太阳能电池中,将半导体A和传导体与该半导体A不同且具有比半导体A的电子亲和力a1大的电子亲和力a2的半导体B结合,同时对所述半导体A和所述半导体B各在1%以内进行晶格匹配。在异质结型太阳能电池的制造方法中,该太阳能电池将半导体A和传导体与该半导体A不同且具有比半导体A的电子亲和力a1大的电子亲和力a2的半导体B结合,同时对所述半导体A和所述半导体B各在1%以内进行晶格匹配;该方法的特征在于,所述半导体A是p型硅,并在其表面上形成p型锗层,通过去除该锗层而去除氧化膜之后,形成n型GaP。得到的太阳能电池的开放电压是2V。
搜索关键词: 太阳能电池 及其 制造 方法
【主权项】:
一种异质结型太阳能电池,其特征在于,将半导体A和传导体与该半导体A不同且具有比半导体A的电子亲和力a1大的电子亲和力a2的半导体B结合,同时对所述半导体A和所述半导体B各在1%以内进行晶格匹配。
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