[发明专利]纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法有效
申请号: | 201110290063.1 | 申请日: | 2011-09-21 |
公开(公告)号: | CN102487124A | 公开(公告)日: | 2012-06-06 |
发明(设计)人: | 韩秀峰;刘厚方;瑞之万 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;鲍俊萍 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法,以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、中间导电层、覆盖层,中间导电层为磁性金属、磁性合金或者磁性金属复合层时,缓冲层和绝缘层可以根据实际需要选择性的添加。当中间导电层为非磁性金属层或反铁磁性金属层时,缓冲层和绝缘层必须添加,以便获得较高的信噪比。本发明通过变化的电场对铁电或多铁性材料的电极化特性进行调制,从而达到影响和改变金属层的电导的作用,调控器件电阻的变化,获得不同的电场下对应不同的电阻态,实现电致电阻效应。 | ||
搜索关键词: | 纳米 多层 场效应 传感器 随机 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种电场调控型纳米多层膜,其特征在于,由下至上依次包括:底层;基片衬底;缓冲层绝缘势垒层导电层;顶部覆盖层;其中所述底层为导电材料,作为下电极用于在基片衬底上施加电场;基片衬底为铁电或多铁性材料,可在电场的作用下改变和调控其电极化强度的大小及其方向;缓冲层作为上电极用于在铁电或多铁性材料上施加电场;中间的绝缘势垒层为氧化物;顶部覆盖层为保护层,防止中间导电层被氧化;通过在所述的底层和缓冲层之间施加电场,由于基片衬底的电极化强度大小及其方向的改变,影响和改变相邻导电层的面内电导,可获得不同电场下不同的电阻态,导致可逆电致电阻效应的产生。
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