[发明专利]湿浸式光刻系统无效

专利信息
申请号: 201110291288.9 申请日: 2006-06-30
公开(公告)号: CN102331686A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 张庆裕;林本坚 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 姜燕;邢雪红
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种湿浸式光刻系统,包括:湿浸液体座架,用于包含湿浸液体;夹片台,用于将涂布有光致刻蚀剂的半导体晶片放置在该湿浸液体座架内;以及镜头,紧邻该湿浸液体座架并且可被放置用于通过该湿浸液体而将影像投影在该涂布有光致刻蚀剂的半导体晶片上。本发明所述的湿浸式光刻的方法和装置可以使湿浸镜头反应室免于遭受缺陷附着。另外,本发明可以减少镜头、光致刻蚀剂、传感器、晶片夹片台和湿浸液体座架间的交互污染。另外,本发明还可以减少装置维修频率和复杂度。另外,本发明可以致使光致刻蚀剂表面免于遭受缺陷和水渍污染,或降低缺陷和水渍污染。
搜索关键词: 湿浸式 光刻 系统
【主权项】:
一种湿浸式光刻系统,包括:湿浸液体密封反应器,包括多个表面;湿浸液体,放置在该湿浸液体密封反应器内;衬底夹片台,放置在该湿浸液体密封反应器内;镜头;以及降低污染附着的涂层,涂布在所述衬底夹片台及镜头的多个表面的一个或多个表面上,使所述衬底夹片台及镜头的所有涂层表面均为疏水性,其中所述降低污染附着的涂层包含聚乙烯、聚氯乙烯或前述的组合。
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