[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201110291627.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102569206A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 洪韺玉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件及其制造方法，所述方法包括以下步骤：提供具有单元区和外围电路区的衬底，所述单元区要形成垂直层叠的多个存储器单元，所述外围电路区要形成外围电路器件。在单元区和外围电路区的衬底之上形成交替层叠有层间电介质层和栅电极层的栅结构。通过选择性地刻蚀单元区的栅结构来形成沿着一个方向隔离栅电极层的第一沟槽，以及通过与外围电路区的接触形成区相对应地选择性地刻蚀栅结构来形成沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造存储器件的方法，包括以下步骤：在单元区和外围电路区中形成交替层叠有层间电介质层和栅电极层的栅结构；通过选择性地刻蚀所述单元区的栅结构来形成第一沟槽，以沿着一个方向隔离所述栅电极层；以及通过与所述外围电路区的接触形成区相对应地来选择性地刻蚀栅结构来形成第二沟槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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