[发明专利]一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的沉积方法

摘要

本发明公开一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的沉积方法，选用金属有机物二乙基锌和硫化氢为反应物，氮气为载流气体和清洗气体，采用原子层沉积方法制备CIGS太阳能电池的缓冲层，充分利用原子层沉积方法在沉积超薄薄膜方面具有致密性、保形性，无针孔性及薄膜厚度控制精确的优势，沉积出无镉的，无针孔的CIGS太阳能电池缓冲层，抑制了由于针孔引起的电池内部短路现象，提高了太阳能电池转换效率，同时也起到了减少环境污染的效果。

主权项

一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层的沉积方法，其特征在于，将已沉积金属背电极及吸收层CIGS的钠钙玻璃衬底放入原子层沉积装置的反应室中，对反应室抽真空，本底真空在5×10‑3mbar以下，选用金属有机物二乙基锌和硫化氢为反应物，氮气为载流气体和清洗气体，对衬底加热至200℃，以氮气为载流气体通入二乙基锌做反应气体，二乙基锌与衬底产生化学吸咐，在衬底表面吸咐一层二乙基锌，通入纯氮气将多余的二乙基锌带走，再通入氮气做载流气体的H2S气体，H2S气体与吸咐在衬底上的二乙基锌发生化学反应生成ZnS薄膜，最后通入氮气将反应生成的气体及末反应完的气体清洗走，一层ZnS分子薄膜沉积形成，重复上述沉积过程，将化合物原子一层接一层沉积在衬底上，直至ZnS薄膜缓冲层达到所需的厚度40—80nm。