[发明专利]三维纳米结构阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201110292901.9 | 申请日： | 2011-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN103030107A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;张立辉;陈墨;金元浩;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维纳米结构阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底的表面形成一掩模层；纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成沟槽；刻蚀所述掩模层，使对应掩模层沟槽位置的衬底表面部分暴露；刻蚀所述衬底，使所述掩模层的所述多个条形凸起结构中相邻条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；以及去除所述掩模层，形成三维纳米结构阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种三维纳米结构阵列的制备方法，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底的表面形成一掩模层；纳米压印所述掩模层，使所述掩模层表面形成并排延伸的多个条形凸起结构，相邻的条形凸起结构之间形成沟槽；刻蚀所述掩模层，使对应掩模层沟槽位置的衬底表面部分暴露；刻蚀所述衬底，使所述掩模层的所述多个条形凸起结构中相邻条形凸起结构依次两两闭合，形成多个三维纳米结构预制体；以及去除所述掩模层，形成三维纳米结构阵列。
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