[发明专利]形成保护结构用于绝缘层局部平坦化的方法和半导体器件

摘要

本发明涉及形成保护结构用于绝缘层局部平坦化的方法和半导体器件。一种半导体晶片包含被划片街区分离的多个半导体管芯。在半导体管芯的有源表面上形成接触焊盘。在半导体管芯的划片街区与接触焊盘之间的半导体管芯的有源表面上形成保护图案。该保护图案包括分段金属层或多个平行的分段金属层。在有源表面、接触焊盘和保护图案上形成绝缘层。去除绝缘层的一部分以使接触焊盘暴露。保护图案减少半导体管芯的划片街区与接触焊盘之间的绝缘层的腐蚀。保护图案可以在半导体管芯的拐角处成角度或遵循接触焊盘的轮廓。可以在半导体管芯的拐角处形成保护图案。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括： 提供具有被划片街区分离的多个半导体管芯的半导体晶片； 在半导体管芯的有源表面上形成接触焊盘； 在半导体管芯的划片街区与接触焊盘之间的半导体管芯的有源表面上形成保护图案； 在有源表面、接触焊盘和保护图案上形成第一绝缘层；以及 去除第一绝缘层的一部分以使接触焊盘暴露，其中，所述保护图案减少半导体管芯的划片街区与接触焊盘之间的第一绝缘层的腐蚀。