[发明专利]制作P型穿隧层以改善双层堆叠太阳能之NP介面

摘要

本发明是制作P型穿隧层以改善双层堆叠太阳能之NP介面。将已镀膜完背电极的玻璃放入到PECVD腔体，制作微晶硅N.I.P型薄膜，藉由调整参数，制作Bottom cell中微晶N型、I型、P型三层，接着是本发明在P型微晶镀膜后，利用TMB参杂进行P型非晶镀膜，制作P型非晶的目的是导电度高，且defect density大，可用作穿隧效应用，且因此膜层在PECVD腔体内制作，完成后再进行top cell的N型非晶、I型非晶及P型微晶，此部分用P型微晶制作宽的Band gap，让光入射可以让更多光能够穿透进入到I型内，完成后利用sputter制作前电极，即完成薄膜太阳能电池，藉由P型非晶来去除在Bottom cell P型微晶与Top cell N型非晶产生的内建电场，增加recombination rate，可让电子电动顺利流动，提高双层堆叠太阳能薄膜发电效率。

主权项

本发明主要目的是制作P型穿隧层以改善双层堆叠太阳能之N.P介面，主要在PECVD腔体内进行制程，先将已镀膜完背电极的玻璃放入到PECVD腔体，制作微晶硅N.I.P型半导体薄膜，藉由调整腔体的温度、制程压力、气体流量、电极与玻璃间距、以及RF power等参数，制作Bottom cell中N型微晶半导体、I型微晶半导体、P型微晶半导体三层，接着就是本发明，在P型微晶半导体镀膜完成后，利用TMB/SiH4的参杂厚度去进行P型非晶半导体镀膜，主要制作P型非晶半导体的目的是因其导电度高，且defect density大，故其内部缺陷严重，因此可以用作穿隧效应用，且因为此膜层是在PECVD腔体内制作，故不会有让玻璃破真空产生SiO2氧化层(因其破真空氧化层厚度不易控制，会造成厚度太厚，电阻值提高且穿透性差而影响穿隧效应)，完成后再进行top cell的N型非晶半导体、I型非晶半导体及P型微晶半导体，此部分用P型微晶半导体主要制作宽的Band gap，让光入射的时后可以让更多光能够穿透进入到I型半导体内，完成后利用sputter制作前电极，即完成薄膜太阳能电池，并藉由P型非晶半导体来去除在Bottom cell P型微晶与Top cell N型非晶产生的内建电场，增加recombination rate，可让电子电动顺利流动，并提高双层堆叠太阳能薄膜发电效率。