[发明专利]辐射探测装置及制造方法有效
| 申请号： | 201110293900.6 | 申请日： | 2011-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102393530A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | O·莫内;G·蒙特蒙;L·韦尔热;M-C·让泰 | 申请（专利权）人： | 原子能及能源替代委员会 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24;H01L31/18;H01L31/115;H01L31/0224;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及致电离辐射探测装置的制造方法，所述装置包括：称为半导体块的半导体材料块(100)，半导体块适于经受在电离辐射的作用下在正电荷和负电荷之间的电荷的局部分离；第一系列的至少两个电极(130)，称为收集电极，收集电极被形成在所述半导体块(100)的表面；第二系列的至少两个电极(310)，称为非收集电极，非收集电极由一载体(300)承载，并被称为绝缘层的介电材料或电绝缘材料制的层(500)与半导体块(100)隔开。所述方法的特征在于，在载体(300)上形成绝缘层(500)以覆盖非收集电极之后，把承载收集电极(130)的半导体材料块(100)与承载非收集电极和绝缘层的载体(300)装配在一起。 | ||
| 搜索关键词： | 辐射 探测 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
致电离辐射探测装置的制造方法，所述装置包括：半导体材料块(100)，称为半导体块，所述半导体块适于经受在致电离辐射的作用下在正电荷和负电荷之间的电荷的局部分离；第一系列的至少两个电极(130)，称为收集电极，所述收集电极与所述半导体块(100)电接触；第二系列的至少两个电极(310)，称为非收集电极，所述非收集电极通过称为绝缘层的电绝缘材料层(500)与所述半导体块(100)隔开，所述方法包括下列步骤：‑在所述半导体块(100)的一表面上形成所述收集电极(130)，‑在载体(300)的一表面上形成所述非收集电极(310)，所述方法的特征在于，在所述载体(300)上形成所述绝缘层(500)以覆盖所述非收集电极后，把承载所述收集电极(130)的所述半导体块(100)与承载所述非收集电极和所述绝缘层的所述载体(300)装配在一起。
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