[发明专利]光传感器和光传感器阵列有效
申请号: | 201110294301.6 | 申请日: | 2011-09-27 |
公开(公告)号: | CN102569309A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 米仓健史;宫泽敏夫;长谷川笃;齐藤辉儿;安田好三 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器;松下液晶显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;孟祥海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种光传感器和具有多个光传感器像素的光传感器阵列。各光传感器像素包括:由金属膜构成的下部电极、无定形硅膜、n型无定形硅膜及上部电极,光传感器阵列包括:多条扫描线,与上述上部电极连接;多条读出线,与上述下部电极连接;扫描电路,与多条扫描线连接并在每1水平扫描期间对各扫描线依次提供第一电压的选择扫描信号;第一机构,在1水平扫描期间的消隐期间对多条读出线输入电位高于第一电压的第二电压后使多条读出线处于浮置状态;第二机构,与多条读出线连接,使1水平扫描期间内的各读出线的电压变化作为光传感器像素的传感器输出电压进行输出,该光传感器像素的下部电极与上述各读出线连接、上部电极被输入选择扫描电压。 | ||
搜索关键词: | 传感器 阵列 | ||
【主权项】:
一种光传感器,其包括:由金属膜构成的下部电极、设置在上述下部电极之上的无定形硅膜、设置在上述无定形硅膜之上的n型无定形硅膜、以及设置在上述n型无定形硅膜之上的上部电极,该光传感器将依赖于入射到上述无定形硅膜的光量的电压作为传感器输出电压进行输出,其中,上述光传感器的特征在于,还包括:对上述上部电极和上述下部电极中的一方输入第一电压的机构;在接通状态时对上述上部电极和上述下部电极中的另一方输入电位高于上述第一电压的第二电压,在关断状态时使上述上部电极和上述下部电极中的上述另一方处于浮置状态的机构;以及在上述上部电极和上述下部电极中的上述另一方处于浮置状态下,使经过预定期间后的上述上部电极和上述下部电极中的上述另一方的电压变化作为上述传感器输出电压进行输出的机构。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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