[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110294600.X | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103035564A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L23/532 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，在衬底上形成介质层，在介质层中形成金属互连线；在所述金属互连线上形成第一阻挡层；对所述第一阻挡层的表面进行硅化处理，形成第一富硅阻挡层；在所述第一富硅阻挡层上形成第二阻挡层，对所述第二阻挡层的表面进行硅化处理，形成第二富硅阻挡层。相应地，本发明还提供一种半导体器件，包括：衬底，位于衬底上的介质层，形成于介质层中的金属互连线；依次位于金属互连线上的第一阻挡层、第一富硅阻挡层、第二阻挡层、第二富硅阻挡层。本发明可以减小PID问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，在衬底上形成介质层，在介质层中形成金属互连线；在所述金属互连线上形成第一阻挡层；对所述第一阻挡层的表面进行硅化处理，形成第一富硅阻挡层；在所述第一富硅阻挡层上形成第二阻挡层；对所述第二阻挡层的表面进行硅化处理，形成第二富硅阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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