[发明专利]新型双晶体管SONOS闪存存储单元结构及其操作方法

摘要

本发明涉及一种新型双晶体管SONOS闪存存储单元结构及其操作方法，该种双晶体管的SONOS闪存存储单元结构包括一个SONOS存储晶体管和一个存储单元选择管，所述存储单元选择管的选择栅极作为选择端，靠近存储单元选择管的栅极一侧的漏极区为位线端，靠近SONOS存储晶体管的一侧的源极区为源线端，SONOS存储晶体管的控制栅极为控制端。双晶体管的SONOS存储单元的操作方法为在读写操作中由位线端和选择端选中单元，在擦除操作中由控制端选中单元。本发明同标准的CMOS逻辑工艺完全兼容，并且克服了单个闪存晶体管存储单元的过擦除弱点。

主权项

一种新型双晶体管SONOS闪存存储单元结构，其特征在于：所述双晶体管SONOS闪存存储单元结构包括：P型沟道晶体管；即衬底为N型；在N型衬底中形成的三个P+型阱，所述三个P+型阱分别为源极区、漏极区和位于源极区、漏极区之间的中间阱区；位于源极区和中间阱区之间的衬底上方的控制栅极，所述控制栅极包括第一栅极介质层和位于第一栅极介质层上的第一多晶硅栅极，其中，所述第一栅极介质层自下而上依次包括第一氧化层、氮化层、第二氧化层，即采用ONO材料为存储浮栅介质；位于漏极区和中间阱区之间的衬底上方的选择栅极，所述选择栅极包括第二栅极介质层和第二多晶硅栅极，所述第二栅极介质层为第三氧化层。