[发明专利]无硅通孔低成本图像传感器封装结构的实现方法

摘要

本发明涉及一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构的实现方法，所述结构包括芯片本体（1），在芯片本体的上表面设置隔离层（5），在隔离层上设置透光盖板（6）；在芯片本体上形成硅沟槽（8）；在芯片本体下表面、硅沟槽（8）侧壁及芯片内部钝化层（2）的下表面选择性的设置绝缘层（9）；在芯片内部钝化层（2）和芯片内部金属层（3）上形成贯穿孔（10）；在绝缘层（9）表面及贯穿孔（10）内选择性的形成金属线路层（11）；在绝缘层（9）及金属线路层（11）上选择性的设置线路保护层（12）；在金属线路层（11）露出线路保护层（12）的地方设置焊球（13）本发明提供了具有结构简单、互联可靠性好、工艺简单、低成本的特点的无硅通孔高可靠性图像传感器封装结构，以及实现这种结构的工艺方法。

主权项

一种无硅通孔低成本图像传感器封装结构的实现方法，所述结构包括已经设置有芯片内部钝化层（2）、芯片内部金属层（3）及感光区（4）的芯片本体（1），其特征在于：在芯片本体（1）的上表面设置隔离层（5），隔离层（5）不覆盖或者覆盖于芯片感光区（4）；在隔离层（5）上设置透光盖板（6），在隔离层（5）不覆盖于芯片感光区（4）时，透光盖板6、隔离层5及芯片本体1之间形成空腔7；在芯片本体（1）上形成硅沟槽（8），且硅沟槽（8）底部直接停止于芯片内部钝化层（2）的下表面，使芯片内部钝化层（2）下表面裸露出来；在芯片本体（1）下表面、硅沟槽（8）侧壁及裸露出的芯片内部钝化层（2）的下表面选择性的设置绝缘层（9）；在芯片内部钝化层（2）和芯片内部金属层（3）上形成贯穿孔（10），且贯穿孔（10）停止于隔离层（5）内部；在绝缘层（9）表面及贯穿孔（10）内选择性的形成金属线路层（11）；在绝缘层（9）及金属线路层（11）上选择性的设置线路保护层（12）；在金属线路层（11）露出线路保护层（12）的地方设置焊球（13）；所述结构的实现方法包括以下工艺过程：1)、通过涂覆、曝光、显影、固化或者单纯涂覆工艺在透光盖板表面形成隔离层；2)、通过健合的方法、使隔离层与芯片本体结合起来；优选的健合前在隔离墙上涂覆胶水，形成或增加健合后隔离层与晶圆之间的结合力；3)、通过晶圆片磨片及应力层去除的方法得到芯片本体的目标厚度；4)、通过光刻结合硅刻蚀的方法形成硅沟槽；5)、通过光刻的方法形成绝缘层；6)、通过激光钻孔的方法，形成贯穿孔；7)、通过溅射、光刻、电镀或化学镀的方法形成金属线路层；8)、通过光刻的方法形成线路保护层；9)、通过放置焊球或印刷焊料，然后回流的方法形成焊球。