[发明专利]一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器有效
| 申请号： | 201110294950.6 | 申请日： | 2011-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102629628A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 刘翔;薛建设 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板及其制造方法和液晶显示器，涉及液晶面板制造领域，在防止半导体有源层受到污染的同时，减少了构图工序，提高了生产效率，降低了生产成本。TFT阵列基板包括：基板，基板上形成的栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层，具有金属氧化物区域的金属阻挡层，金属阻挡层上形成有源极和漏极，金属阻挡层的金属氧化物区域位于所述源极、漏极之间，基板和所述源极、漏极上形成有保护层和与所述漏极连接的像素电极。本发明实施例用于制造TFT阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tft 阵列 及其 制造 方法 液晶显示器 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板；所述基板上形成有栅线、栅极、栅绝缘层和半导体有源层；所述半导体有源层上形成有与所述半导体有源层同面积的金属阻挡层；所述金属阻挡层上形成有源极和漏极，其中，所述金属阻挡层位于所述源极和漏极之间的区域为经过氧化工艺处理后所得的金属氧化物区域，使所述源极、漏极相互绝缘；在所述基板和所述源极、漏极上形成有保护层和与所述漏极连接的像素电极。
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