[发明专利]一种蓝宝石外延片结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110295120.5 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103022294A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 吴明驰 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种蓝宝石外延片结构，包括：蓝宝石衬底，设置于蓝宝石衬底上的缓冲层，设置于缓冲层上的本征GaN层，设置于本征GaN层上的N型GaN层，设置于N型GaN层上的MQW发光层，设置于MQW发光层上的P型GaN层；其中，所述缓冲层包括：依次设置于蓝宝石衬底上的掺Ge的InN层、掺Ge的GaN层、500～600°C温度下形成的第一GaN层、1000～1100°C温度下形成的第二GaN层。以及一种蓝宝石外延片的制造方法；缓冲层采用双两步外延生长法并且缓冲层的InN中掺杂少量的Ge，Ge扩散至InN间隙，能有效降低蓝宝石与GaN间的晶格失配产生的应力提高量子发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 蓝宝石 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种蓝宝石外延片结构，其特征在于，包括：蓝宝石衬底，设置于蓝宝石衬底上的缓冲层，设置于缓冲层上的本征GaN层，设置于本征GaN层上的N型GaN层，设置于N型GaN层上的MQW发光层，设置于MQW发光层上的P型GaN层；其中，所述缓冲层包括：依次设置于蓝宝石衬底上的掺Ge的InN层、掺Ge的GaN层、500～600°C温度下形成的第一GaN层、1000～1100°C温度下形成的第二GaN层。
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