[发明专利]一种在树脂基片使用磁控溅射制备ITO膜的方法有效
| 申请号： | 201110295242.4 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102312208A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 许沭华;夏大映;张兵;何晏兵;孔德兴;康傲飞 | 申请（专利权）人： | 芜湖长信科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 张小虹 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在树脂基片上使用磁控溅射制备ITO膜的方法，该方法具体步骤包括：a、将树脂基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；b、将树脂基片运送至加热室，将基片加热至150～250℃；c、将加热后的树脂基片运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行ITO膜沉积，依ITO面电阻值的不同，溅射室内阴极直流电源输入功率为0.6KW～6KW；d、将镀膜完毕的基片运送至冷却室进行冷却；e、将冷却后的基片放入卸载室，卸片。该工艺方法可以在树脂基片上利用连续垂直式磁控溅射制备低电阻率、高质量的ITO膜，且所制备的ITO膜具有电阻均匀性好、电阻率低、高透过率、较好的化学稳定性等性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 树脂 使用 磁控溅射 制备 ito 方法 | ||
【主权项】：
一种在树脂基片上使用磁控溅射制备ITO膜的方法，其特征在于，该方法具体步骤包括：a、将树脂基片放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；b、将树脂基片运送至加热室，将基片加热至150～250℃；c、将加热后的树脂基片运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行ITO膜沉积，依ITO面电阻值的不同，溅射室内阴极直流电源输入功率为0.6KW～6KW；d、将镀膜完毕的基片运送至冷却室进行冷却；e、将冷却后的基片放入卸载室，卸片。
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