[发明专利]温度调变制作高效率三结基材型硅薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 201110295345.0 | 申请日： | 2011-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN103022061A | 公开（公告）日： | 2013-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈宏昌;刘幼海;刘吉人 | 申请（专利权）人： | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/142 | 分类号： | H01L27/142;H01L31/0352;H01L31/0392 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 制作 高效率 基材 薄膜 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种温度调变制作高效率基材型三结硅薄膜太阳能电池，此技术包括玻璃、第一透明导电层、金属背电极、第二透明导电层、高温N型微晶硅薄膜、高温I型微晶硅薄膜、高温P型微晶硅薄膜、高温N型非晶硅薄膜、高温I型非晶硅薄膜、高温P型非晶硅薄膜、低温N型非晶硅薄膜、低温I型非晶硅薄膜、低温P型非晶硅薄膜、第三透明导电层、金属电极，本发明可以此设计结构充份吸收太阳光频谱，进而提升硅薄膜太阳能效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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