[发明专利]光刻设备有效
申请号: | 201110295458.0 | 申请日: | 2011-09-29 |
公开(公告)号: | CN103034063A | 公开(公告)日: | 2013-04-10 |
发明(设计)人: | 伍强;顾一鸣 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王莉莉 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种用于包含能够产生化学放大作用的第一组分和第二组分的光致抗蚀剂的光刻设备。第一组分和第二组分对光的敏感波段基本不同。该光刻设备包括:第一曝光设备,使用第一敏感波段的光对光致抗蚀剂的表面进行选择性照射,使得第一组分产生第一化学物质;以及第二曝光设备,使用第二敏感波段的光对光致抗蚀剂的表面进行均匀照射,使得第二组分产生第二化学物质。由于第二化学物质能够与第一化学物质发生反应以降低第一化学物质在光致抗蚀剂中的质量浓度,因此能够改善在光致抗蚀剂中所形成的第一化学物质的潜像的对比度,由此在显影后得到的光刻图案具有更好的边缘粗糙度。 | ||
搜索关键词: | 光刻 设备 | ||
【主权项】:
一种用于包含能够产生化学放大作用的第一组分和第二组分的光致抗蚀剂的光刻设备,包括:第一曝光设备,用于使用第一波段的光对涂覆在衬底上的光致抗蚀剂的表面上的选定区域进行选择性照射,使得所述第一组分产生第一化学物质;以及第二曝光设备,用于使用第二波段的光对所述光致抗蚀剂的表面的所有区域进行均匀照射,使得所述第二组分产生第二化学物质,其中所述第二波段不同于所述第一波段,所述第二化学物质能够与所述第一化学物质发生反应,从而降低所述第一化学物质在光致抗蚀剂中的质量浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110295458.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种有后凹陷条的拉杆箱
- 下一篇:一种具有防水和防漏功能的购物袋