[发明专利]一种碲化铋基热电元件及其制备方法无效
| 申请号： | 201110295849.2 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102412366A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 陈立东;李菲;黄向阳;柏胜强;吴汀;江莞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L35/32 | 分类号： | H01L35/32;H01L35/34 |
| 代理公司： | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碲化铋基热电元件及其制备方法。所述的碲化铋基热电元件包括电极层、阻挡层和碲化铋基热电层，且阻挡层位于电极层和碲化铋基热电层之间；所述的阻挡层材料为金属锑或金属锑与其它金属的合金。所述的热电元件的制备包括如下步骤：分别称取碲化铋基热电层材料、阻挡层材料及电极层材料；按照碲化铋基热电层材料、阻挡层材料、电极层材料的顺序依次装入石墨模具中；在真空中进行热压烧结。本发明提供的碲化铋基热电元件中各界面间结合良好，界面处未见有裂纹和明显的扩散现象存在，且界面电阻低，能够经受长时间的热疲劳试验。另外，本发明的制备方法具有工艺简单、可靠好、制备成本低、无需特殊设备、适合规模化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碲化铋基 热电 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碲化铋基热电元件，包括电极层、阻挡层和碲化铋基热电层，且阻挡层位于电极层和碲化铋基热电层之间；其特征在于：所述的阻挡层材料为金属锑或金属锑与其它金属的合金。
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