[发明专利]高压LED器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110296263.8 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102339913A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;张汝京 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/36;H01L33/62 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成N型限制层、外延层和反射层；在衬底上制作至少一个隔离沟槽，以在衬底上方隔离出至少两个区域，在每个所述区域内制作多个均匀分布的N型通孔；在N型通孔和隔离沟槽的内表面除底部以外以及部分反射层表面上沉积绝缘层；沉积金属，以在N型通孔内形成导电栓，在暴露出的部分反射层上形成正电极导电凸块，并形成连接单个区域内的所有导电栓的负电极导电凸块，从而形成LED模块；对一个或多个上述LED模块以及功能芯片进行封装，以形成高压LED器件。本发明还提供了一种高压LED器件，解决电流密度局部拥挤效应和功率型芯片的散热问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 led 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压LED器件的制造方法，包括如下步骤：提供一衬底，在所述衬底上依次形成N型限制层、外延层和反射层；制作至少一个贯穿反射层、外延层、N型限制层的隔离沟槽，以在衬底上方隔离出至少两个区域，在每个所述区域内制作多个均匀分布的N型通孔，所述N型通孔贯穿反射层、外延层；先在N型通孔和隔离沟槽的内表面以及反射层表面上沉积绝缘层，再去除N型通孔和隔离沟槽的底部以及反射层表面的部分绝缘层，暴露出N型通孔和隔离沟槽的底部以及部分反射层；沉积金属，以在N型通孔内形成导电栓，在暴露出的部分反射层上形成正电极导电凸块，并形成连接单个区域内的所有导电栓的负电极导电凸块，从而形成LED模块；对一个或多个上述LED模块以及功能芯片进行封装，以形成高压LED器件。
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