[发明专利]对称差分非易失性存储器单元有效
申请号: | 201110296507.2 | 申请日: | 2011-10-08 |
公开(公告)号: | CN102446554A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | D.卢卡舍维奇 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及对称差分非易失性存储器单元。一些实施例涉及一种差分储存器单元。该存储器单元包括具有源极、漏极、栅极和本体的第一晶体管。第一电容器具有第一板和第二板,其中第一板耦合到第一晶体管的栅极并且在本体区之上延伸。该存储器单元也包括具有源极、漏极、栅极和本体的第二晶体管,其中第二晶体管的源极和本体耦合到第一电容器的第二板。第二电容器具有第三板和第四板,其中第三板耦合到第二晶体管的栅极并且第四板耦合到第一晶体管的源极和本体。 | ||
搜索关键词: | 对称 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】:
一种存储器单元,包括:第一晶体管,具有源极、漏极和栅极;第一电容器,具有第一板和第二板,其中所述第一板耦合到所述第一晶体管的所述栅极;第二晶体管,具有源极、漏极和栅极,其中所述第二晶体管的所述源极耦合到所述第一电容器的所述第二板;以及第二电容器,具有第三板和第四板并且具有与所述第一电容器近似相同的面积,其中所述第三板耦合到所述第二晶体管的所述栅极并且所述第四板耦合到所述第一晶体管的所述源极。
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