[发明专利]以覆铜铝线为背极的太阳能电池及其生产工艺无效
申请号: | 201110296646.5 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN103022166A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 傅建明;杨瑞鹏 | 申请(专利权)人: | 杭州赛昂电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18 |
代理公司: | 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 | 代理人: | 祝耀坤 |
地址: | 311215 浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 以覆铜铝线为背极的太阳能电池及其生产工艺,属于太阳能电池领域。现有技术中采用金属栅作为电极,常用的铝、银原料成本高。本发明包括:包括:基板,第一个重掺杂的结晶硅层位于基板之上,轻掺杂结晶硅层位于第一个重掺杂的结晶硅层上,第二个重掺杂的硅层位于轻掺杂的结晶硅层上,前端电极栅位于第二重掺杂的结晶硅层上,背面电极栅位于基板的背面,其特征在于通过置换反应在铝电极栅上覆盖一层比铝更易导电的铜层,因此可以提高电极栅的导电性;进一步的,在前端电极栅的银线上外覆铜层,可以减少银的用量,在保证前端和背面电极都具有良好的导电性的同时,降低生产成本。 | ||
搜索关键词: | 覆铜铝线 太阳能电池 及其 生产工艺 | ||
【主权项】:
以覆铜铝线为背极的太阳能电池,包括:基板,第一个重掺杂的结晶硅层位于基板之上,轻掺杂结晶硅层位于第一个重掺杂的结晶硅层上,第二个重掺杂的硅层位于轻掺杂的结晶硅层上,前端电极栅位于第二重掺杂的结晶硅层上,背面电极栅位于基板的背面,其特征在于所述的背面电极栅包括铝线,所述的铝线层外覆有铜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州赛昂电力有限公司,未经杭州赛昂电力有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110296646.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:医学检验微生物培养箱
- 下一篇:一种医用超净恒温培养箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的