[发明专利]闪存存储器及其制作方法、不同厚度栅极的形成方法

摘要

本发明提供一种嵌入逻辑电路的分离栅极式闪存存储器的制作方法，与单独的分离栅极式闪存存储器形成方法相比，只需再通过两层多晶硅的化学机械研磨加上多晶硅的氧化实现嵌入式分离栅极闪存存储器中不同厚度栅极的形成，即可在一块集成电路上同时制作分离栅极式快闪存储器、高压晶体管、逻辑晶体管；这使得三者的密度增大，集成化程度高，运行速度更快，同时集成芯片更小，从而降低了每个集成芯片的成本。本发明还提供一种嵌入逻辑电路的分离栅极式闪存存储器以及一种形成不同厚度栅极的方法。

主权项

一种嵌入式分离栅极闪存存储器的制作方法，所述嵌入式分离栅极闪存存储器包括形成有分离栅极闪存晶体管的存储区域、形成有高压晶体管的高压区域、形成有逻辑晶体管的逻辑区域，其特征在于，所述制作方法包括：形成栅介质层；在栅介质层上形成不同高度的栅极材料层，其中，位于存储区域的栅极材料层高于高压区域与逻辑区域的栅极材料层；在栅极材料层上沉积第一氧化硅层；利用掩模保护存储区域与高压区域，去除逻辑区域上的第一氧化硅层；氧化裸露出来的逻辑区域的栅极材料形成第二氧化硅层，以降低逻辑区域内的栅极材料层的厚度；去除存储区域、高压区域、逻辑区域上的第一氧化硅层或第二氧化硅层。