[发明专利]设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜无效
申请号: | 201110297688.0 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN103014658A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 戴嘉男;刘幼海;刘吉人 | 申请(专利权)人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/46;C23C16/458 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201707 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明主要目的是设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜。本发明加热平板的加热方式是用microheater进行加热,可让加热平板本身为均匀加热,加热平板下有一组线性马达轴承架设于腔体下,利用Port与马达之间紧密结合而成,当加热平板欲作升降时,可以由电脑界面将马达开启并作升降。其方式是当TCO玻璃与金属平板一起放入Carrier内,并传送到PECVD腔体后,其加热平板利用马达控制轴承作升降,玻璃接触加热平板,可让玻璃均匀升温,随后要制程时,加热平板可作上升动作,使玻璃与电极产生适当的间距作制程,当完成制程后,加热平板作下降动作,并让Carrier可以传出,此发明兼顾玻璃加热均匀不易翘曲与适当间距制程,可得均匀的硅薄膜,提高太阳能硅薄膜发电效率。 | ||
搜索关键词: | 设计 加热 平板 升降 动作 进行 薄膜 镀膜 | ||
【主权项】:
一种设计加热平板作升降动作以进行硅薄膜镀膜,其PECVD腔体内部设有传动轮轴及真空Pump,且也有Showerhead气流孔及RF电极,此外也有最重要的是本发明加热平板,其加热平板的加热方式是用micro heater进行加热,故可以让加热平板本身为均匀加热,此外这个加热平板下有一组线性马达轴承,这个马达是架设于腔体下,利用其Port与马达之间紧密结合而成,当加热平板欲作升降时,可以由电脑界面将马达开启并作升降,其方式主要是当TCO玻璃与金属平板一起放入Carrier内,并传送到PECVD腔体后,其加热平板利用马达控制轴承作升降,由于玻璃与金属平板一起接触到加热平板,此时加热的方式有传导热及辐射热两种,可以让玻璃均匀升温,且不易有玻璃翘曲的可能,随后当要开始制程时,其加热平板可以再作上升动作,使其玻璃与电极产生一适当的间距,此间距可依制程需要来做改变,而当RF power supply开启的时后,这个间距就可以得到均匀电浆,并可进行制程,当完成制程后,其加热平板则是透过线性马达轴承作下降动作,并让Carrier可以顺利传出,此发明兼顾着玻璃加热均匀不易翘曲外,也有让玻璃与电极产生适当的间距,以便进行电浆制程,故可以达到均匀的硅薄膜,并提高整体太阳能硅薄膜发电效率。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的