[发明专利]硅晶片太阳能电池的制造方法

摘要

本发明提供一种硅晶片太阳能电池的制造方法，其包括以下步骤：硅晶片制绒化步骤；p-n接面形成步骤；湿制程表面处理步骤；形成钝化层及抗反射层步骤；以及电极形成步骤；其特征为所述湿制程表面处理步骤包括以下特定工艺流程(process flow)：背面磷硅玻璃去除(PSG Removal)步骤；背面抛光及边缘隔绝步骤；双面磷硅玻璃及氧化层去除步骤；以及在正面形成浅接面(shallow junction)的工艺流程。

主权项

一种硅晶片太阳能电池的制造方法，其包括以下步骤：晶片制绒化步骤；p‑n接面形成步骤；湿制程表面处理步骤；形成钝化层及抗反射层步骤；以及电极形成步骤；其特征为：所述湿制程表面处理步骤流程包括：进行背面磷硅玻璃去除步骤，使用第一蚀刻溶液，调整液面使该第一蚀刻溶液接触晶片的背面，或接触晶片的背面及侧面，除去该晶片的背面上的磷硅玻璃，或该晶片的背面及侧面上的磷硅玻璃，其中所述第一蚀刻溶液对二氧化硅的蚀刻率与对硅的蚀刻率的比率至少为10∶1，所述晶片的正面定义为形成太阳能电池后光入射的面，而晶片的背面定义为与正面相对的面；进行边缘隔绝步骤，使用第二蚀刻溶液，调整液面使该第二蚀刻溶液接触晶片的正面与背面，或只接触晶片的背面、侧面及因液体表面张力而接触晶片正面的外缘，对该晶片的背面与侧面进行表面蚀刻，使该晶片的正面与背面在晶片的边缘达成电性隔绝，其中所述第二蚀刻溶液对硅的蚀刻率与对磷硅玻璃氧化物的蚀刻率的比率至少为5∶1；以及进行双面磷硅玻璃及氧化层去除步骤，使用第三蚀刻溶液，接触晶片的正面与背面，除去该晶片表面上的磷硅玻璃及其它氧化层。