[发明专利]一种电弧熔炼与熔渗法制备CuWCr复合材料的方法

摘要

本发明公开了一种电弧熔炼与熔渗法制备CuWCr复合材料的方法，先将Cu粉和Cr粉放入混料机中混合，将混好的料进行模压或冷等静压，将压制好的坯料置于真空烧结炉内，在真空环境下进行烧结，得到CuCr熔渗坯。然后，将W粉进行模压或冷等静压，控制W坯的孔隙率；将W坯置于真空烧结炉内，在真空环境下烧结使其成为W骨架。最后，将W骨架置于自耗电极电弧熔炼炉水冷铜坩埚底部，在W骨架上放置制备好的CuCr熔渗坯，在真空环境下，熔炼CuCr熔渗坯，使CuCr熔渗坯在电弧高温下熔化后熔渗到W骨架中，冷却后得到CuWCr复合材料。本发明方法获得的CuWCr复合材料耐电压强度高、电导率高、杂质含量少。

主权项

一种电弧熔炼与熔渗法制备CuWCr复合材料的方法，其特征在于，该方法按照以下操作步骤实施：CuCr熔渗坯的制备按质量百分比称取25％～66％的Cu粉、34％～75％的Cr粉并放入混料机中混合3～6小时，将混好的粉料在400MPa下进行模压或在260MPa下进行冷等静压，将压制好的坯料置于真空烧结炉内，在真空度不小于10 2Pa的真空环境下升温至900℃～1050℃，烧结60分钟～120分钟，得到CuCr熔渗坯；W骨架的制备将W粉压制成坯料，坯料的孔隙率控制在35％～40％，将坯料置于真空烧结炉内，在真空度不小于10 2Pa的真空环境下升温至1050℃～1500℃，烧结90分钟～150分钟，使其烧结成骨架；电弧熔炼及后处理a、将制备好的的W骨架置于自耗电极电弧熔炼炉水冷铜坩埚底部，然后在W骨架上放置制备好的CuCr熔渗坯，在真空度不小于10 3Pa的真空环境下，调节熔炼电流不小于1200A，熔炼CuCr熔渗坯，使CuCr熔渗坯在电弧高温下熔化后熔渗到W骨架中，在水冷铜坩埚内得到CuWCr铸锭；b、最后对CuWCr铸锭进行机加工。