[发明专利]一种在（110）型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法无效
| 申请号： | 201110297805.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN102398893A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金钦华;俞骁;李铁;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在(110)型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(110)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 110 硅片 表面 自上而下 制备 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在(110)型硅片表面自上而下制备纳米结构的方法，其特征在于由(110)型硅片上设计并列排布的两个或更多的腐蚀窗口，其最小线宽在0.5um以上，由单晶硅的各向异性湿法腐蚀形成相应数量的上下表面均为多边形的腐蚀槽，进而在相邻槽间得到特征尺寸在5nm至0.999um的单晶硅纳米结构，高度由各向异性湿法腐蚀决定。
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