[发明专利]非均匀沟道无结晶体管有效
| 申请号： | 201110299276.0 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102610642A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 后藤贤一;吴志强 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在基板上形成半导体层的方法。该方法包括将半导体层图案化成鳍状结构。该方法包括在鳍状结构上方形成栅极介电层和栅电极层。该方法包括图案化栅极介电层和栅电极层，从而使得所形成的栅极结构包围鳍状结构的部分。该方法包括实施多个注入工艺，从而在鳍状结构中形成源极/漏极区域。实施多个注入工艺，从而使得鳍状结构中的掺杂轮廓是非均匀的，并且被栅极结构包围的鳍状结构的部分的第一区域具有比该鳍状结构的其他区域更轻的掺杂浓度级别。本发明还提供了一种非均匀沟道无结晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 均匀 沟道 结晶体 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：位于基板上方的半导体层，所述半导体层具有鳍状结构；位于所述鳍状结构上方的栅极结构，所述栅极结构具有栅极介电层和栅电极层，所述栅极结构包围着所述鳍状结构的部分；以及位于所述鳍状结构中的源极/漏极区域；其中，所述鳍状结构中的掺杂轮廓是非均匀的，并且其中，被所述栅极结构包围的所述鳍状结构的部分的第一区域具有比所述鳍状结构的其余部分更轻的掺杂浓度级别。
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