[发明专利]一种用于太阳电池制造的吸杂工艺方法无效
| 申请号： | 201110299285.X | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102332500A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 孙良欣;周坚;郭育林 | 申请（专利权）人： | 桂林尚科光伏技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/322 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 541300 广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于太阳电池制造的吸杂工艺方法，包括以下步骤：(1)高浓度磷扩散：由N2携带高浓度的POCL3进入扩散炉管，在硅片正表面沉积一层浓磷扩散层；(2)去除浓磷扩散层：将沉积浓磷扩散层的硅片重新酸洗制绒，去除硅片正表面的浓磷扩散层；(3)制绒：重新制绒，形成新的绒面。(4)测试制绒后硅片的电阻率。本发明工艺采用浓磷扩散的方式，在POCL3气氛下热处理，在硅片内部形成高磷层，经过处理后的金属杂质会聚集在磷重扩的地方，通过酸洗工艺出除，从而达到吸杂的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 太阳电池 制造 杂工 方法 | ||
【主权项】：
一种用于太阳电池制造的吸杂工艺方法，其特征在于含有以下步骤：(1)高浓度磷扩散：由N2携带高浓度的POCL3进入扩散炉管，在硅片正表面沉积一层浓磷扩散层；(2)去除浓磷扩散层：将沉积浓磷扩散层的硅片重新酸洗制绒，去除硅片正表面的浓磷扩散层；(3)制绒：重新制绒，形成新的绒面；去除硅片浓磷区固定的金属杂质；(4)测试制绒后硅片的电阻率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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