[发明专利]一种改善纳米阵列薄膜超疏水稳定性的方法

摘要

本发明公布了一种改善纳米阵列薄膜超疏水稳定性的方法，步骤如下：将纳米阵列薄膜清洗后放入反应室，反应室抽真空，利用电场提供高能量等离子体，通过热丝控制反应温度，向真空室内通入六氟环氧丙烷(HFPO)和磺酰基氟化丁烷的混合气体，通入气体流量为六氟环氧丙烷流量：磺酰基氟化丁烷气体流量=(24:3)~(24:12)sccm，在纳米阵列薄膜上聚合沉积聚四氟乙烯纳米膜。经本发明方法处理后的纳米阵列薄膜超疏水材料，水滴不会再渗透到纳米阵列薄膜空隙中；在长期的使用过程中，超疏水表面对水的接触角和滚动角随使用时间的延长没有观察到明显的下降和增加，保持了超疏水性长期稳定，提高了超疏水自清洁表面的持久性。

主权项

一种改善纳米阵列薄膜超疏水稳定性的方法，其特征在于：包括以下步骤1）清洗以去除超疏水纳米阵列薄膜材料的污染物、吸附物或表面的氧化物；2）进行等离子体清洗，以提高纳米阵列薄膜的附着力，改善表面的粘着性和润滑性；3）等离子体清洗后，打开电源使热丝通电进行预热，至400 ~650℃，通入六氟环氧丙烷和聚合引发剂磺酰基氟化丁烷气体，气体流量之比为六氟环氧丙烷流量：磺酰基氟化丁烷气体流量=(24：3) ~ (24：12) sccm，调整射频功率，射频功率值80~150 W，真空度为60~120 Pa，六氟环氧丙烷气体裂解成二氟卡宾自由基，并在磺酰基氟化丁烷作用下聚合成聚四氟乙烯沉积在纳米阵列薄膜上。