[发明专利]马铃薯茎尖脱毒育种方法及双层培养基无效
申请号: | 201110299572.0 | 申请日: | 2011-09-28 |
公开(公告)号: | CN102342248A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 李亚雄 | 申请(专利权)人: | 金色种业有限公司 |
主分类号: | A01H4/00 | 分类号: | A01H4/00 |
代理公司: | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人: | 吴小灿 |
地址: | 102615 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 马铃薯茎尖脱毒育种方法及双层培养基,以提高效率,并降低污染率,其特征在于,利用双层培养基植入马铃薯茎尖后一次性成苗出试管薯,省却成苗后的移栽培养步骤;所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层,所述培养基底层为制备好的诱导培养基,所述培养基上层为制备好的组织培养基;所述马铃薯茎尖植入在组织培养基中成苗;待苗长成后直接进入暗光培养,在所述诱导培养基中出试管薯。 | ||
搜索关键词: | 马铃薯 脱毒 育种 方法 双层 培养基 | ||
【主权项】:
马铃薯茎尖脱毒育种方法,其特征在于,利用双层培养基植入马铃薯茎尖后一次性成苗出试管薯,省却成苗后的移栽培养步骤;所述双层培养基包括一个培养基底层和堆叠在所述底层之上的一个培养基上层,所述培养基底层为制备好的诱导培养基,所述培养基上层为制备好的组织培养基;所述马铃薯茎尖植入在组织培养基中成苗;待苗长成后直接进入暗光培养,在所述诱导培养基中出试管薯。
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