[发明专利]接触通孔刻蚀方法

摘要

本发明提供了一种接触通孔刻蚀方法，由于在栅极区上方的层间介质隔离层内对应栅极区处形成了一层栅极耐刻蚀层，因此借助该栅极耐刻蚀层，在刻蚀栅极接触通孔和共享接触通孔时，可抵消由于半导体结构栅极区及有源区上不同厚度层间介质隔离层导致的栅极区过刻蚀的问题，进而提高半导体器件的性能。再者，由于在形成栅极耐刻蚀层的过程中采用DSA技术形成掩膜，未增加曝光工艺次数，不会带来制造成本的增加。

主权项

一种接触通孔刻蚀方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有具有栅极区和有源区的半导体结构；在所述半导体结构上沉积第一层间介质隔离层；在所述第一层间介质隔离层上对应栅极区位置形成覆盖栅极区的栅极耐刻蚀层，并在所述耐刻蚀层上沉积第二层间介质隔离层；在所述第二层间介质隔离层上涂覆光刻胶；根据形成栅极通孔、源漏接触通孔及共享接触通孔的位置图案化所述光刻胶，并以图案化的光刻胶作为掩膜对所述第二、第一层间介质隔离层进行干法刻蚀分别形成栅极通孔、源漏接触通孔及共享接触通孔。