[发明专利]经时击穿矩阵测试电路及测试方法有效
| 申请号： | 201110300448.1 | 申请日： | 2011-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103033728A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/14 | 分类号： | G01R31/14 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种经时击穿矩阵测试电路及测试方法，用于测量横纵矩阵式设置的待测MOS晶体管，通过在测试电路中设置纵列选择开关组及横列选择开关组可对进行测试的MOS晶体管数量进行选择，且通过闭合和打开对应的纵列选择开关及横列选择开关可对具体一个待测MOS晶体管进行栅电流的测量，节约了大量的测试时间，且测试电路简单易行，节省了测试成本。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 矩阵 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
一种经时击穿矩阵测试电路，用于测量待测MOS晶体管，所述待测MOS晶体管成横纵矩阵式设置，其特征在于，所述测试电路包括应力电压源、测试电压源、纵列选择开关组及横列选择开关组；其中，所述纵列选择开关组中的每个开关一端对应连接一纵列待测MOS晶体管栅极，另一端与所述应力电压源或测试电压源连接；所述横列选择开关组中的每个开关一端对应连接一横列待测MOS晶体管的源极和漏极，另一端接地；所述应力电压源用于在与所述纵列选择开关一端连接时，且所述纵列选择开关闭合时对该纵列选择开关对应的纵列待测MOS晶体管栅极施加应力电压；所述测试电压源用于在与所述纵列选择开关一段连接时，且所述纵列选择开关闭合时对该纵列选择开关对应的纵列待测MOS晶体管栅极施加测量电压。
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