[发明专利]绝缘体上硅器件有效
| 申请号： | 201110300470.6 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102339836A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 李乐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种绝缘体上硅器件，其在内部设置了一用作屏蔽层的导电层，使集成电路内部的非线性可变寄生电容变为恒定寄生电容。进一步地，所述绝缘体上硅器件还在内部设置一深度增大的STI隔离区从而使该寄生电容值减小。当绝缘体上硅器件工作时，施加于器件上的射频信号会尽可能少的从该寄生电容泄露，且得到的射频信号为线性信号，符合射频设备的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 器件 | ||
【主权项】：
一种绝缘体上硅器件，其特征在于，包括：绝缘体上硅衬底(20)，包括硅基板(21)、形成于所述硅基板(21)上的埋入氧化层(22)、形成于所述埋入氧化层(22)上的硅层(23)，所述硅层(23)内设有源区(231)、漏区(232)及用于隔绝所述源区(231)、漏区(232)的STI隔离区(233)；所述STI隔离区(233)的上方设有适于用作金属互连线的金属层(24)；所述STI隔离区(233)上覆盖有一层接地的导电层(26)；所述金属层(24)与所述导电层(26)之间设有介质层(25)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
