[发明专利]高压晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供了一种高压晶体管的制作方法，通过在其高压阱上方一次形成相互分离的第一虚拟栅极、第二虚拟栅极、工作栅极，可以省略在硅衬底有源区专门形成金属硅化物阻挡层的工艺步骤；进行离子注入形成高压晶体管的源、漏前，需在整个硅衬底上形成图形化光刻胶，当第一虚拟栅极、第二虚拟栅极与工作栅极的间隙较小时，相邻栅极之间的侧壁构成足够厚的层，此时相邻栅极之间可以不用覆盖光刻胶，直接以高压阱上相邻的栅极及相邻栅极之间的侧墙为掩膜在该区域实现自对准离子注入，简化了形成图形化光刻胶前制作掩膜版的工艺。基于所述制作方法，本发明还提供了一种高压晶体管。

主权项

一种高压晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在硅衬底上进行第一次离子注入形成高压阱；在所述硅衬底上形成用于将所述高压阱与其它有源区隔离的浅沟槽隔离区；在所述高压阱上形成图形化光刻胶，进行第二次离子注入以在所述高压阱内形成存在一定间距的第一轻掺杂区域、第二轻掺杂区域；在所述高压阱上形成相互分离的栅极，所述栅极包括工作栅极、第一虚拟栅极、第二虚拟栅极，所述工作栅极所在的区域位于所述第一轻掺杂区域与第二轻掺杂区域之间，所述第一虚拟栅极位于第一轻掺杂区域上方，所述第二虚拟栅极位于第二轻掺杂区域上方；在所述工作栅极、第一虚拟栅极、第二虚拟栅极的两侧均形成侧墙；进行第三次离子注入以在所述第一虚拟栅极及第二虚拟栅极的远离所述工作栅极的一侧形成源或漏。