[发明专利]一种TMOS栅极结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110301051.4 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102354660A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王立斌;康军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种TMOS栅极结构的形成方法，包括：提供一半导体衬底，使半导体衬底表面粗糙；刻蚀半导体衬底，以形成沟槽；在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层，在沟槽外形成的栅氧化层的厚度比在沟槽内形成的栅氧化层的厚度大；采用化学机械研磨去除多晶硅层，仅保留在沟槽内的多晶硅层作为TMOS栅极。本发明还提供了与TMOS栅极结构形成方法对应的TMOS栅极结构。本发明提供的TMOS栅极结构的形成方法，在沟槽外形成的栅氧化层的厚度比在所述沟槽内形成的栅氧化层的厚度大，因此在沟槽外并且靠近沟槽形成的栅氧化层虽然容易遭到损耗，然而由于厚度增加不致使器件出现漏电现象，保证了器件的正常性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tmos 栅极 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种TMOS栅极结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一半导体衬底，使所述半导体衬底表面粗糙；刻蚀所述半导体衬底，以形成沟槽；在所述半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅层，在所述沟槽外形成的栅氧化层的厚度比在所述沟槽内形成的栅氧化层的厚度大；采用化学机械研磨去除所述多晶硅层，仅保留在所述沟槽内的多晶硅层作为TMOS栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
