[发明专利]半导体装置

摘要

本发明的实施方式提供一种半导体装置，其具备：第一导电型的漏极层；从上述第一导电型的漏极层的表面直到内部地设置为沟槽状的第一导电型的漂移区域；从上述漂移区域的表面直到内部地设置为沟槽状的第二导电型的衬底区域；从上述衬底区域的表面直到内部地设置为沟槽状的第一导电型的源极区域；沿与上述漏极层的背面大致平行的方向、在从上述源极区域的一部分贯穿与上述源极区域的上述一部分邻接的衬底区域而到达上述漂移区域的一部分的第一沟槽内，隔着栅极绝缘膜而设置的栅极电极；在从上述漏极层的表面直到内部地设置的至少一个第二沟槽内，隔着第一绝缘膜而设置的第一电阻体层；与上述漏极层连接的漏极电极；以及与上述源极区域及上述衬底区域连接的源极电极。上述第一电阻体层与上述源极电极电连接。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的漏极层；从所述第一导电型的漏极层的表面直到内部地设置为沟槽状的第一导电型的漂移区域；从所述漂移区域的表面直到内部地设置为沟槽状的第二导电型的衬底区域；从所述衬底区域的表面直到内部地设置为沟槽状的第一导电型的源极区域；沿与所述漏极层的背面大致平行的方向，在从所述源极区域的一部分贯穿与所述源极区域的所述一部分邻接的衬底区域而到达所述漂移区域的一部分的第一沟槽内，隔着栅极绝缘膜而设置的栅极电极；在从所述漏极层的表面直到内部设置的至少一个第二沟槽内，隔着第一绝缘膜而设置的第一电阻体层；与所述漏极层连接的漏极电极；以及与所述源极区域及所述衬底区域连接的源极电极；所述第一电阻体层与所述源极电极电连接。