[发明专利]一种坩埚喷涂免烧结多晶铸锭工艺无效

专利信息
申请号: 201110301115.0 申请日: 2011-10-09
公开(公告)号: CN102352531A 公开(公告)日: 2012-02-15
发明(设计)人: 徐爱阳;李俊峰 申请(专利权)人: 泰州德通电气有限公司
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06;B05C7/00;B05D3/00;B05D3/02
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 225300 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种坩埚喷涂免烧结多晶铸锭工艺,包括以下步骤:a、坩埚喷涂,选取坩埚,将一定比例的氮化硅粉、纯水、固化剂溶液混合中速搅拌成氮化硅浆料,然后恒温喷涂在坩埚内壁上;b、坩埚装料,将硅料装入内壁喷涂有氮化硅涂层的坩埚内;c、投炉铸锭,将装好硅料的坩埚按照正常铸锭的工艺投炉运行,经过加热,融化,长晶,退火和冷却以后出炉。这种坩埚喷涂免烧结多晶铸锭工艺能使得氮化硅涂层迅速固化,同时涂层与坩埚的吸附效果非常好,质地坚硬,不容易被破坏,降低了坩埚在使用过程中的周转量,节约了以往铸锭生产中不可避免的用电量,烧结炉从此就可以不再使用,从而提高了生产效率且产品质量也很高。
搜索关键词: 一种 坩埚 喷涂 烧结 多晶 铸锭 工艺
【主权项】:
一种坩埚喷涂免烧结多晶铸锭工艺,其特征在于,包括以下步骤:     a、坩埚喷涂,选取坩埚,将一定比例的氮化硅粉、纯水、固化剂溶液混合中速搅拌成氮化硅浆料,然后恒温喷涂在坩埚内壁上;     b、坩埚装料,将硅料装入内壁喷涂有氮化硅涂层的坩埚内;     c、投炉铸锭,将装好硅料的坩埚按照正常铸锭的工艺投炉运行,经过加热,融化,长晶,退火和冷却以后出炉。
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