[发明专利]一种接触孔形成方法无效
| 申请号： | 201110301248.8 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102324402A | 公开（公告）日： | 2012-01-18 |
| 发明（设计）人： | 贾璐;胡学清;肖培 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种接触孔形成方法，包括：提供半导体基体，在所述半导体基体上依次形成硬掩膜层和图形化的光刻胶层，所述硬掩膜层的厚度为4000A～6000A；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层中形成开口；去除所述图形化的光刻胶层，以刻蚀后的所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体基体，在所述半导体基体中形成接触孔。本发明提供的接触孔形成方法，在所述半导体基体上形成的硬掩膜层的厚度为4000A～6000A，该厚度值大于通常形成的硬掩膜层的厚度值，由于以硬掩膜层为掩膜刻蚀出的接触孔的孔径与硬掩膜层的厚度成反比，因此，增厚的硬掩膜层能够得到孔径更小的接触孔，以满足半导体器件特征尺寸的显著减小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种接触孔形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基体，在所述半导体基体上依次形成硬掩膜层和图形化的光刻胶层，所述硬掩膜层的厚度为4000A～6000A；以所述图形化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层，在所述硬掩膜层中形成开口；去除所述图形化的光刻胶层，以刻蚀后的所述硬掩膜层为掩膜刻蚀所述半导体基体，在所述半导体基体中形成接触孔。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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