[发明专利]半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201110301262.8 | 申请日： | 2011-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102456799A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 金载润;李进馥;黄硕珉;李守烈 | 申请（专利权）人： | 三星LED株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/36;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体发光器件及其制造方法，该半导体发光器件包括：光发射结构，其中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在第一导电半导体层上；绝缘层，形成在第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在绝缘层上并反射从有源层发射的光；第二电极，形成在反射单元上；以及透明电极，形成在第二导电半导体层上，透明电极与绝缘层和第二电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体发光器件，包括：光发射结构，所述光发射结构中依次地层叠有第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；第一电极，形成在所述第一导电半导体层上；绝缘层，形成在所述第二导电半导体层上并由透明材料制成；反射单元，形成在所述绝缘层上并反射从所述有源层发射的光；第二电极，形成在所述反射单元上；以及透明电极，形成在所述第二导电半导体层上，所述透明电极与所述绝缘层和所述第二电极接触。
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